温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
SI4816BDY-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A 电流:8.2A
- SMT扩展库
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SI4816BDY-T1-GE3商品编号
C2838495商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.253克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A；8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18.5mΩ@6.8A,10V | |
| 功率(Pd) | 1W；1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | 半桥 |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
2500+￥4.184605￥10461.51
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
0
交货周期
订货3-5个工作日购买数量(2500个/圆盘，最小起订量 2500 个 )
个
起订量：2500 个2500个/圆盘
近期成交0单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
