温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4816BDY-T1-GE3
双N沟道MOSFET,电流:6.8A,耐压:30V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4816BDY-T1-GE3
- 商品编号
- C2838495
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.253克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- SOP-8 塑封封装的 P 沟道 MOS 场效应管。
- SOP-8 塑封封装的 P 沟道增强型场效应晶体管。
商品特性
- 漏源电压（V） = -30V
- 漏极电流 = -12A（栅源电压 = -20V）
- 导通电阻 < 13mΩ（栅源电压 = -20V）
- 导通电阻 < 14mΩ（栅源电压 = -10V）
应用领域
- 用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。