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SI7923DN-T1-GE3
2个P沟道 耐压:30V 电流:6.4A
- 描述
- 特性：无卤（根据IEC 61249-2-21标准）。 TrenchFET功率MOSFET。 新型低热阻PowerPak封装。应用：便携式设备。 电池开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7923DN-T1-GE3
- 商品编号
- C2838510
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
双 P 沟道 30 V(D - S)MOSFET,PowerPAK 1212 - 8 在小尺寸封装下提供超低热阻抗,非常适合空间受限的应用。它是 PowerPAK SO - 8 的衍生产品,采用相同的封装技术,最大化芯片面积。芯片附着焊盘底部外露,为安装器件的基板提供直接、低电阻的热路径,将 PowerPAK SO - 8 的优势融入更小的封装,具备同等水平的热性能。其占地面积与 TSOP - 6 相当,比标准 TSSOP - 8 小 40%以上,芯片容量是标准 TSOP - 6 的两倍多,热性能比 SO - 8 好一个数量级,比 TSSOP - 8 好 20 倍,能利用任何 PC 板散热器能力,与 TSSOP - 8 相比可降低结温并使芯片效率提高约 20%。单双 PowerPAK 1212 - 8 与单双 PowerPAK SO - 8 使用相同的引脚排列,1.05 mm 的低高度轮廓使其成为空间受限应用的理想选择。
商品特性
- 符合 IEC 61249 - 2 - 21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 新型低热阻 PowerPAK 封装
应用领域
-便携式设备-电池开关-负载开关
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