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CSD19538Q2
N沟道 100V 14.4A
- 描述
- CSD19538Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19538Q2
- 商品编号
- C2838636
- 商品封装
- WSON-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 454pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
交货周期
订货83-85个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交20单
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