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SUM110P08-11L-E3
1个P沟道 耐压:80V 电流:110A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUM110P08-11L-E3
- 商品编号
- C2838509
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.85nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 700pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
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