温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFBC30PBF
1个N沟道 耐压:600V 电流:3.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 第三代功率 MOSFET 提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB 封装普遍适用于所有功率耗散水平约为 50 W 的商业-工业应用。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBC30PBF
- 商品编号
- C2838497
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品特性
- 导通电阻RDS(ON)典型值：在栅源电压VGS = 10 V时为4 mΩ（典型值）
- 专有新型沟槽技术
- 低栅极电荷，可最小化开关损耗
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 直流-直流转换器
- 直流-直流逆变器
- 电源