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IRFBC30PBF
1个N沟道 耐压:600V 电流:3.6A
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- 描述
- 第三代功率 MOSFET 提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB 封装普遍适用于所有功率耗散水平约为 50 W 的商业-工业应用。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBC30PBF
- 商品编号
- C2838497
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约为50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 直流-直流转换器
- 直流-直流逆变器
- 电源
- SUM110P08-11L-E3
- GSIB2560-E3/45
- BAS70-04-G3-08
- ESP32-C3
- ESP32-C3-MINI-1-N4
- SN74LVC1G386DBVR
- VS-16RIA60
- VS-15AWL06FNTR-M3
- VOL618A-3X001T
- VBT3080S-E3/8W
- TLZ5V1C-GS08
- BYG22B-E3/TR
- SE9450D-42-HF
- HR871190A
- B72225S4271K101
- CSNP1GCR01-AOW
- HSEC8-140-01-S-DV-A-K-TR
- CSD19538Q2
- 450MXG470MEFCSN30X50
- 400LXW39MEFR12.5X20
- 400AX6R8MEFC8X10.8