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AP20P30Q
1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 特性：VDS =-30V。 ID =-20A。 RDS(ON) < 13mΩ @VGS =-10V。 RDS(ON) < 18mΩ @VGS =-4.5V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP20P30Q
- 商品编号
- C2837278
- 商品封装
- DFN-8(3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款 N 型场效应晶体管是专门设计用于提高采用同步或传统开关脉冲宽度调制控制器的直流/直流转换器的整体效率的。它已被优化用于小型开关式调节器，能够在小巧的封装中提供极低的漏源导通电阻（RDS（ON））和栅极电荷（QG）。
商品特性
ecific - 1.5 , 20 V. RDS(ON) = 90 mΩ t VGS = 4.5 V.
- RDS(ON) = 100 mΩ t VGS = 2.5 V
- RDS(ON) = 140 mΩ t VGS = 1.8 V
- 快速切换速度
- 微小的栅极电荷
- 高性能的沟槽技术，性能卓越lly to im
应用领域
- 直流/直流转换器
- 电源管理
- 负载开关