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2N7002KA-RTK/H实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2N7002KA-RTK/H

N沟道 耐压:60V 电流:300mA

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:ESD 保护 2000V。 用于低 RDS(ON) 的高密度单元设计。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 后缀 U:符合 AFC-Q101
品牌名称
KEC
商品型号
2N7002KA-RTK/H
商品编号
C2837298
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))2.7Ω@5V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))2.35V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)18pF
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)7pF

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用了分裂栅沟槽DMOST技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • 40V、39A,VGS = 10V时,RDS(on)最大值为7.5mΩ
  • 改善了dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证EAS
  • 有环保型器件可供选择

应用领域

  • 电机驱动器
  • 不间断电源(UPS)
  • DC-DC转换器

数据手册PDF