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HY1904B实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HY1904B

1个N沟道 耐压:40V 电流:90A

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描述
特性:40V/90A,RDS(ON)=4.7mΩ(典型值)@VGS = 10V,RDS(ON)=5.7mΩ(典型值)@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)。应用:开关应用。 逆变器系统的电源管理
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HY1904B
商品编号
C2837263
商品封装
TO-263-2L​
包装方式
编带
商品毛重
2.119克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)52nC@10V
输入电容(Ciss)2.274nF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)194pF

数据手册PDF

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(800个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个800个/圆盘

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