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HYG017N04LS1C2
1个N沟道 耐压:40V 电流:135A
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- 描述
- 40V/135A。RDS(ON)=1.7mΩ（典型值），VGS =10V时；RDS(ON)=2.3mΩ（典型值），VGS =4.5V时。经过100%雪崩测试
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG017N04LS1C2
- 商品编号
- C2837481
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.332nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 813pF |
商品概述
70N03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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