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HY3906W
N沟道增强型MOSFET,电流:190A,耐压:60V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY3906W
- 商品编号
- C2833622
- 商品封装
- TO-247A-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.903nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 506pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.014nF |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新研发成果。由此产生的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、出色的雪崩特性，且光刻对准步骤要求较低，因此具有卓越的制造可重复性。
商品特性
- 60V/190A
- RDS(ON) = 2.6 mΩ(典型值),VGS = 10 V 时
- 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合 RoHS 标准)
应用领域
-开关应用-逆变器系统电源管理
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