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CS4N80A3HD-G
N沟道 耐压:800V 电流:4A
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- 描述
- CS4N80 A3HD - G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 251，符合RoHS标准
- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS4N80A3HD-G
- 商品编号
- C2833626
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
优惠活动
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起订量：1 个75个/管
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