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TSA100N20M
停产 N沟道,电流:100A,耐压:200V
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- 描述
- MOS,N沟道,100N20,200V,100A,0.025Ω(Max)
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA100N20M
- 商品编号
- C2829039
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 6.904nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP68N06系列采用创新设计与硅制程技术，尽可能降低导通电阻，实现快速开关性能。它为设计人员提供了一种高效的器件，适用于各种电源应用。 DFN5*6封装在所有采用红外回流技术的商业-工业表面贴装应用中广受欢迎，且因其连接电阻低，适用于大电流应用。
商品特性
- 100A、200V,最大导通电阻RDS(on)=25mΩ(VGS = 10V时)
- 低栅极电荷(典型值70nC)
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
应用领域
-高功率逆变器-切割机