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TSD840MD
1个N沟道 耐压:500V 电流:8A
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- 描述
- MOS,N沟道,840,8N50,500V,8A,0.95Ω(Max)
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSD840MD
- 商品编号
- C2829045
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.582克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用芯导科技（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过专门优化，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 16A、250V，VGS = 10V时，最大RDS(on) = 0.25Ω
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