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TSA20N65MR
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- MOS,N沟道,20N65,650V,20A,0.48Ω(Max)
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA20N65MR
- 商品编号
- C2829042
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 264pF |
商品概述
AP3910GD采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 36A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 12 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -30A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 14 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- H桥电路-逆变器