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TSF840MD
500V,8.0A,0.95Ω@10V N沟道MOSFET
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- 描述
- MOS,N沟道,840,8N50,500V,8A,0.95Ω(Max)
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSF840MD
- 商品编号
- C2829046
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品特性
- 30V、90A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 4.2 mΩ，典型值为3.6 mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 7.0 mΩ，典型值为5.2 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 产品无铅
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理