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TSA82N30M
1个N沟道 耐压:300V 电流:82A
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- 描述
- MOS,N沟道,82N30,300V,82A,0.046Ω(Max)
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA82N30M
- 商品编号
- C2829041
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 580W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.904nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高电流能力
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试和栅极电阻测试
应用领域
- 计算机、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理
- DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流切换
- 负载开关、快速/无线充电、电机驱动