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TSA82N30M
1个N沟道 耐压:300V 电流:82A
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- 描述
- MOS,N沟道,82N30,300V,82A,0.046Ω(Max)
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA82N30M
- 商品编号
- C2829041
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 580W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.904nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用东微半导(Truesemi)先进的平面条形DMOS技术制造。 该先进技术经过特别设计,可最大程度降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高功率逆变器、切割机。
商品特性
- 82A、300V,VGS = 10V时最大RDS(on) = 46mΩ
- 低栅极电荷(典型值70nC)
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高功率逆变器-切割机