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2N7002DW
N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- 商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 60V；连续漏极电流(Id) 115mA；功率(Pd) 380mW；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@10V,500mA；阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- 2N7002DW
- 商品编号
- C27975286
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0316克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |