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LGE2310
耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- 商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 60V；连续漏极电流(Id) 3A；功率(Pd) 350mW；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 105mΩ@10V,3A；阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V；栅极电荷(Qg@Vgs) 6nC；输入电容(Ciss@Vds) 274pF；反向传输电容(Crss@Vds) 19.5pF
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- LGE2310
- 商品编号
- C27975290
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 247pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
CoolMOS第八代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的后续产品。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如低振铃趋势，所有产品均采用快速体二极管（CFD），具备出色的硬换相鲁棒性和优秀的ESD能力。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
商品特性
- 出色的导通电阻(Rds(on))
- TrenchFET功率MOSFET
- 高功率和电流处理能力
- 无卤封装
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- DC/DC转换器