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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LGE2310

耐压:60V 电流:3A

描述
商品目录 场效应管(MOSFET);类型 1个N沟道;漏源电压(Vdss) 60V;连续漏极电流(Id) 3A;功率(Pd) 350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 105mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V;栅极电荷(Qg@Vgs) 6nC;输入电容(Ciss@Vds) 274pF;反向传输电容(Crss@Vds) 19.5pF
品牌名称
LGE(鲁光)
商品型号
LGE2310
商品编号
C27975290
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.030067克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))125mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9nC@4.5V
输入电容(Ciss)247pF
反向传输电容(Crss)19.5pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)34pF

商品概述

CoolMOS第八代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的后续产品。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合,例如低振铃趋势,所有产品均采用快速体二极管(CFD),具备出色的硬换相鲁棒性和优秀的ESD能力。此外,CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

商品特性

  • 凭借出色的换相鲁棒性,适用于硬开关和软开关拓扑
  • 显著降低开关和传导损耗
  • 超低的RDS(on)*A使每个封装产品的RDS(on)处于同类最佳水平

应用领域

  • 电源和转换器-PFC级和LLC谐振转换器-高效开关应用,如服务器、电信、电动汽车充电、UPS

数据手册PDF