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G2302S
N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 20V；连续漏极电流(Id) 2.3A；功率(Pd) 1W；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 48mΩ@4.5V,2A；阈值电压(Vgs(th)@Id) 600mV@250uA；栅极电荷(Qg@Vgs) 5.4nC@4.5V；输入电容(Ciss@Vds) 160pF@10V；反向传输电容(Crss@Vds) 25pF@10V；工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- G2302S
- 商品编号
- C27975288
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |