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STGB10NC60KDT4
10 A、600 V短路耐受型IGBT
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- 描述
- 这些器件是采用先进的PowerMESH™技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB10NC60KDT4
- 商品编号
- C2802052
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.836克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 输出电容(Coes) | 46pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 20A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@5A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Cies) | 380pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 72ns | |
| 导通损耗(Eon) | 55uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 85uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 22ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 8.5pF |
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