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SFG100N08PF
增强模式N通道功率MOSFET,电流:100A,耐压:80V
- 商品型号
- SFG100N08PF
- 商品编号
- C2762910
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 148W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.242nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.779nF |
商品概述
SVD9Z24NT是一款P沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰平面VDMOS工艺制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。该器件广泛应用于推挽放大器、高端开关电路和CMOS功率放大器。
商品特性
- 12A，-55V，RDS(导通)(典型值) < 175 mΩ@VGS = -10 V
- P沟道
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 推挽放大器
- 高端开关电路
- CMOS功率放大器