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ASDM3050KQ-R
30V,50A N沟道 MOSFET
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻。 雪崩电压和电流完全表征。 高 EAS 下具有良好的稳定性和均匀性。 出色的散热封装。 特殊工艺技术，具备高 ESD 能力。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM3050KQ-R
- 商品编号
- C2758229
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |