温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JCS4N65RE
N沟道,电流:4.0A,耐压:650V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- 吉林华微
- 商品型号
- JCS4N65RE
- 商品编号
- C2693253
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.492克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
HP 70N80是一款N沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。其坚固的EAS能力和极低的漏源导通电阻适用于PWM、负载开关。
商品特性
- 漏源电压 = 75V；栅源电压 = 10V时，漏极电流 = 70A；
- 栅源电压 = 10V时，漏源导通电阻 < 10.5 mΩ
- 极低的导通电阻
- 高UIS且UIS 100%测试
应用领域
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源