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TPA70R190C
耐压:700V 电流:20A
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- 描述
- 高压超结MOSFET
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPA70R190C
- 商品编号
- C2686299
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 3.078克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 198W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.328nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 116pF |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。深沟槽超结MOSFET提供了一种开关、通信和传导损耗极低的器件,具有极高的稳健性,尤其使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且低温。
商品特性
- 极低的品质因数RDS(on) × Qg
- 经过100%雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)
- 功率因数校正(PFC)
- 充电器