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SI4416DY-VB
N沟道,电流:12A,耐压:20V
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4416DY-VB
- 商品编号
- C2680774
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.258克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 800pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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