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SI6447DQ-T1-E3-VB
P沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电源和功率控制应用。TSSOP8；P—Channel沟道,-20V；-9A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.45~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI6447DQ-T1-E3-VB
- 商品编号
- C2680781
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@450uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 0.018pF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 无卤
- TrenchFET功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100%进行Rq测试
- 100%进行UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心-高端开关
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