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SM7301DSKC-TRG-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SM7301DSKC-TRG-VB

耐压:30V 电流:11A

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款双路N+N沟道MOSFET,采用Trench工艺,可广泛应用于各种电子设备的功率开关和控制模块。SOP8;2个N—Channel沟道,30V;13.5A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
商品型号
SM7301DSKC-TRG-VB
商品编号
C2680789
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.164克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V,9A
耗散功率(Pd)2.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)641pF@15V
反向传输电容(Crss)73pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF