温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STP110N10F7-VB
N沟道 MOSFET,电流:120A,耐压:100V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管，适用于中功率的应用场合，可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。TO220；N—Channel沟道,100V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STP110N10F7-VB
- 商品编号
- C2680810
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.348克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.025nF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电机驱动-移动电源