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TPC8049-H-VB
N沟道,电流:12A,耐压:60V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- TPC8049-H-VB
- 商品编号
- C2680825
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.168克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V；15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100% Rq测试
- 100% UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心-高端开关