SI7866ADP-T1-GE3-VB

耐压:30V 电流:33A

描述

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI7866ADP-T1-GE3-VB

商品编号

C2680782

商品封装

DFN5x6-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.172克(g)