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SI4967DY-T1-E3-VB
P沟道 耐压:20V 电流:8.9A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电路保护模块、电机驱动模块等领域。SOP8；2个P—Channel沟道,-20V；-8.9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4967DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C2680780
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.164克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V；30mΩ@1.8V；22mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@350uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 960pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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