温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PHB32N06-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- 特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤产品。 表面贴装。 可提供卷带包装。 动态 dV/dt 额定值。 逻辑电平栅极驱动。 快速开关。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PHB32N06-VB
- 商品编号
- C2680762
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 4.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品特性
- 沟道功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性负载（UIS）测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门(OR-ing)-服务器-直流-直流转换器(DC/DC)
相似推荐
其他推荐
- QM3016M6-VB
- RF1K49093-VB
- RFD8P06ESM-VB
- RFP2N15-VB
- RFP6P08-VB
- RJK1525DPS-VB
- RSS070P05-VB
- RU30120L&/2-VB
- SI4501DY-T1-E3-VB
- SI4924DY-T1-E3-VB
- SI4955DY-T1-E3-VB
- SI4963DY-T1-E3-VB
- SI4967DY-T1-E3-VB
- SI6447DQ-T1-E3-VB
- SI7866ADP-T1-GE3-VB
- SI9435ADY-T1-E3-VB
- SI9943DY-T1-E3-VB
- SIHFR210-VB
- SM1A33PSU-VB
- SM4508NHKP-VB
- SM4839NSKC-TRG-VB