RFP2N15-VB
N沟道 耐压:200V 电流:5A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,适用于电源管理模块、马达驱动模块和照明控制模块等中低功率电力和电子应用。TO220;N—Channel沟道,200V;5A;RDS(ON)=910mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RFP2N15-VB
- 商品编号
- C2680767
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.676克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 910mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 185pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门应用
- 服务器
- 直流-直流转换器
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