温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTD5807NT-VB
N沟道 40V MOSFET,电流:55A,耐压:40V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTD5807NT-VB
- 商品编号
- C2680754
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.496克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,55A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.801nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 570pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
- 负载开关