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NTD6416ANT-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100%单脉冲雪崩测试。应用：初级侧开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTD6416ANT-VB
- 商品编号
- C2680755
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.484克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器