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NCE30H12K-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于汽车电子、电池管理和电源逆变等需要高功率和高性能的应用场合。TO252；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
NCE30H12K-VB商品编号
C2680753商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
1.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.31mΩ@10V,38.8A | |
| 功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 81.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 6.201nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 970pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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