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NCE0108AS-VB
N沟道,电流:9A,耐压:100V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要小型化和高集成度的应用。SOP8；N—Channel沟道,100V；9A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE0108AS-VB
- 商品编号
- C2680752
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低漏源导通电阻（R_DS(ON)）的高密度单元设计
- 高速开关
商品特性
- 漏源电压（VDS）：20V
- 漏极电流（ID）：13A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（栅源电压（VGS） = 4.5V时）：<9mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（栅源电压（VGS） = 2.5V时）：<12mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（栅源电压（VGS） = 1.8V时）：<18.5mΩ
- 100%进行漏源电压（VDS）测试
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理