SN74ABT646DWR

这些器件由总线收发器电路、D型触发器和控制电路组成，用于直接从输入总线或内部寄存器多路传输数据。A总线或B总线上的数据在相应时钟（CLKAB或CLKBA）输入的从低到高跳变沿锁存到寄存器中。提供了输出使能（OE）和方向控制（DIR）输入来控制收发器功能。在收发器模式下，高阻抗端口上的数据可以存储在一个或两个寄存器中。选择控制（SAB和SBA）输入可以多路复用存储的和实时（透明模式）数据。当OE为低电平时，方向控制（DIR）决定哪个总线接收数据。在隔离模式（OE为高电平）下，A数据可以存储在一个寄存器，B数据可以存储在另一个寄存器。当输出功能禁用时，输入功能仍然启用，可用于存储和传输数据。同一时间只能驱动A或B两个总线中的一个。为了确保上电或掉电期间处于高阻态，OE应通过上拉电阻连接到VCC；电阻的最小值由驱动器的灌电流能力决定。SN74ABT646提供TI的收缩小外形封装（DB），这种封装仅占用不到一半印刷电路板面积，同时保持和标准小外形封装相同的I/O引脚数和功能。SN74ABT646的工作温度范围是-40℃到85℃。数据输出功能可以通过OE和DIR输入的各种信号启用或禁用。数据输入功能始终处于启用状态；也就是说，总线引脚上的数据会在每个时钟输入的从低到高跳变沿存储。

• 采用EPIC-IIB™ BiCMOS设计，大幅降低功耗
• ESD保护超过2000V；机器模型（C = 200 pF，R = 0）下超过200 V
• 闩锁性能超过JEDEC标准JESD-17的500mA
• 高驱动输出（-32-mA IOH，64-mA IOL）
• 封装选项包括塑料小外形（DW）、收缩小外形（DB）、薄型收缩小外形（PW）封装、陶瓷芯片载体（FK）、以及塑料（NT）和陶瓷（JT）双列直插封装