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LGS5145EP
降压型 1.2A 4.5V~60V
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- 描述
- LGS5145EP是一种带内部开关的降压DC/DC稳压器,具备SKIP控制模式,可在广泛负载电流范围内实现高效率。具有宽输入电压范围（4.5V-60V）、最大1.2A持续电流输出能力和高达90%的效率。内置600mΩ高侧MOSFET,支持轻负载时的SKIP模式,具备多种保护功能。
- 品牌名称
- Legend-Si(棱晶半导体)
- 商品型号
- LGS5145EP
- 商品编号
- C22470481
- 商品封装
- ESOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1755克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型 | |
| 工作电压 | 4.5V~60V | |
| 输出电压 | - | |
| 输出电流 | 1.2A | |
| 开关频率 | 1.2MHz | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(TJ) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 否 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式 | |
| 静态电流(Iq) | 150uA | |
| 开关管(内置/外置) | 内置 | |
| 输出类型 | 可调 | |
| 功能特性 | 轻载高效模式；逐波限流；过流保护 |
商品概述
LGS5145EP是一款集成了内部开关的降压型DC/DC稳压器，具备SKIP控制模式。它将低静态电流与高开关频率相结合，可在宽负载电流范围内实现高效率。在SKIP模式下，通过内部功率MOSFET以短暂的“突发”周期切换电感电流，随后进入休眠周期。在休眠期间，电源开关关闭，负载电流由输出电容器提供。轻载时，突发周期仅占整个周期时间的一小部分，从而最小化平均电源电流，显著提升轻载效率。该器件拥有4.5V-60V的宽输入电压范围，有助于减少对外部浪涌抑制组件的需求，使其成为宽输入电源工业应用和多节电池组应用的理想选择。其内部集成了低阻值0.6Ω的高侧功率MOSFET，可提供最大1.2A的持续输出电流，并具备出色的负载与线路瞬态响应性能。LGS5145EP适用于多种需要高效调节更高电压的应用场景，尤其适合42V汽车电源总线。附加功能包括：软启动、热关断、UVLO欠压锁定、栅极驱动器欠压锁定、最大占空比限制定时器以及智能电流限制关断定时器。同时，它集成了输出短路保护功能，当FB电压较低时会进入频率折返模式，以避免短路时发生过热。
商品特性
- 结温范围为-40℃至+125℃
- 所有端口均具备±3000V (HBM) ESD保护能力
- 宽输入电压范围：4.5V-60V
- 高侧MOSFET导通电阻为600mΩ
- 最大持续输出电流能力为1.2A
- 效率高达90%
- SKIP模式提供极高的轻负载效率
- 固定工作频率为1.2MHz
- 内部补偿有助于减小方案尺寸、降低成本并降低设计复杂性
- 支持大负载电容启动
- 具备逐周期过流保护
- 具备输出短路保护
- 具备热关断保护
- 提供散热性能优异的ESOP-8封装
应用领域
- 电表
- 线性稳压器的预稳压器
- 分布式电源系统
- WLED驱动器
- 电池充电