温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ASR65R046EFD
N沟道,电流:59A,耐压:700V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- VDS=700V/Id=59A,Rds(on)=39mΩ/Qg=111nC /Ciss=5309pF/Trr=168.9nS
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASR65R046EFD
- 商品编号
- C22470092
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.3832克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 347W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 111nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.309nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
25P10是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 25P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 39mΩ(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强模式:Vth = 3.2 至 4.5 V
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-单端反激或双晶体管正激拓扑-电脑电源、PD 适配器、液晶和等离子电视以及 LED 照明