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ADW120N040BH
1200V N沟道碳化硅功率MOSFET
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- 描述
- VDS=1200V/Id=50.5A,Rds(on)=40mΩ/Qg=105nC /Ciss=2530pF/Trr=37.23nS
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ADW120N040BH
- 商品编号
- C22470095
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.016667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 50.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 273W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.02pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 110.7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ |