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ASB60R150E
N沟道 耐压:605V 电流:28A
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- 描述
- VDS=650V/Id=28A,Rds(on)=120mΩ/Qg=47.59nC /Ciss=2389pF/Trr=136.7nS
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASB60R150E
- 商品编号
- C22470097
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.072625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 605V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 195W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47.59nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.389nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.07pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 218pF |
商品概述
这款新一代 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.120Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 2.8 至 4.2 V
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 升压 PFC 开关、单端反激或双晶体管正激电路
- 半桥、不对称半桥或串联谐振半桥拓扑
- 电脑电源、适配器、液晶与等离子电视、LED 照明、服务器电源
- 电信电源和 UPS 应用
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