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ASM65R280E
N沟道 耐压:650V 电流:15A
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- 描述
- VDS=700V/Id=15A,Rds(on)=240mΩ/Qg=19.4nC /Ciss=953.8pF/Trr=237.7nS
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASM65R280E
- 商品编号
- C22470099
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.470619克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 126W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 953.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 240 mΩ(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 2.8 至 4.2 V
应用领域
- 单端反激或双晶体管正激拓扑
- 电脑电源、PD 适配器、液晶与等离子电视及 LED 照明