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ASB65R120EFD
N沟道 耐压:655V 电流:30A
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- 描述
- VDS=700V/Id=30A,Rds(on)=105mΩ/Qg=55.4nC /Ciss=2657pF/Trr=136.7nS
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASB65R120EFD
- 商品编号
- C22470098
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.978667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 655V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.657nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 89pF |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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