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ASR65R120EFD
N沟道 耐压:655V 电流:30A
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- 描述
- VDS=700V/Id=30A,Rds(on)=105mΩ/Qg=55.4nC /Ciss=2657pF/Trr=136.7nS
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASR65R120EFD
- 商品编号
- C22470091
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.200375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 655V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.657nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 89pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.105Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 3 至 5 V
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 升压 PFC 开关、半桥、不对称半桥、串联谐振半桥和全桥拓扑。
- 服务器电源、电信电源、电动汽车充电、太阳能逆变器、UPS 应用。