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SP30N02AGNK
N沟道,电流:100A,耐压:30V
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- 描述
- 大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：30V，电流：100A,Rdson：1.9mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP30N02AGNK
- 商品编号
- C22466702
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V；3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 770pF |
商品概述
该器件是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 该器件符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) = 48 mΩ
- 低反向传输电容
- 高开关速度
- 100%经过雪崩耐量（EAS）测试
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 电机驱动-电动工具-LED照明