温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SP40N05GNJ
耐压:40V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 中低压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：40V，电流：40A,Rdson：5mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP40N05GNJ
- 商品编号
- C22466763
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.20965克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V；8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.048nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 178pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 187pF |
商品概述
该器件是高性能沟槽式P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 该器件符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) = 28 mΩ
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%保证具有抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 主板/显卡/Vcore电源
- 负载点（POL）应用
- 负载开关
- LED应用