温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SP60N08GNJ
耐压:60V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 中低压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：40A,Rdson：7.5mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP60N08GNJ
- 商品编号
- C22466774
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0586克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V；10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
采用LFPAK56封装的250 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。安世半导体（Nexperia）采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，实现了高效率、低尖峰性能，通常这种性能与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现有问题的高漏电流。NextPowerS3特别适用于高开关频率下的高效应用。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻(Rdson)
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源