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SP30N06GNK
耐压:30V 电流:35A
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- 描述
- 中低压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：30V，电流：35A,Rdson：6mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP30N06GNK
- 商品编号
- C22466704
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V；9.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
该器件采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计，可将 RDS(ON) 降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。 该器件符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证 EAS，且具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻(Rdson)
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
-功率开关应用-直流-直流转换器