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SP30N06GNJ
N沟道,电流:28A,耐压:30V
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- 描述
- 中低压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：30V，电流：28A,Rdson：6mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP30N06GNJ
- 商品编号
- C22466703
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |